Y. L. Foo, K. A. Bratland, B. Cho, J. A. N. T. Soares, Patrick Desjardins
et J. E. Greene
Article de revue (2002)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/26650/ |
| Titre de la revue: | Surface Science (vol. 513, no 3) |
| Maison d'édition: | Elsevier |
| DOI: | 10.1016/s0039-6028(02)01821-6 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1016/s0039-6028%2802%2901821-6 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:20 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:07 |
| Citer en APA 7: | Foo, Y. L., Bratland, K. A., Cho, B., Soares, J. A. N. T., Desjardins, P., & Greene, J. E. (2002). C incorporation and segregation during Si₁₋yCy/Si(001) gas-source molecular beam epitaxy from Si₂H₆ and CH₃SiH₃. Surface Science, 513(3), 475-484. https://doi.org/10.1016/s0039-6028%2802%2901821-6 |
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