S. Y. Park, J. D'Arcy-Gall, D. Gall, J. A. N. T. Soares, Y.-W. Kim, H. Kim, Patrick Desjardins
, J. E. Greene et S. G. Bishop
Article de revue (2002)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/26385/ |
| Titre de la revue: | Journal of Applied Physics (vol. 91, no 9) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics |
| DOI: | 10.1063/1.1465122 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.1465122 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:20 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:06 |
| Citer en APA 7: | Park, S. Y., D'Arcy-Gall, J., Gall, D., Soares, J. A. N. T., Kim, Y.-W., Kim, H., Desjardins, P., Greene, J. E., & Bishop, S. G. (2002). Carbon Incorporation Pathways and Lattice Sites in Si₁₋yCy Alloys Grown on Si(001) by Molecular-Beam Epitaxy. Journal of Applied Physics, 91(9), 5716-5727. https://doi.org/10.1063/1.1465122 |
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