Cédrik Coia, C. Lavoie, F. M. D'Heurle, C. Detavernier, Patrick Desjardins
et A. J. Kellock
Communication écrite (2005)
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| Renseignements supplémentaires: | 1091-8213 |
|---|---|
| Département: | Département de génie physique |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/24264/ |
| Nom de la conférence: | 207th Meeting of the Electrochemical Society |
| Lieu de la conférence: | Québec, Canada |
| Date(s) de la conférence: | 2005-05-15 - 2005-05-20 |
| Maison d'édition: | Electrochemical Society |
| DOI: | 10.1149/ma2005-01/14/685 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1149/ma2005-01/14/685 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:18 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 11:09 |
| Citer en APA 7: | Coia, C., Lavoie, C., D'Heurle, F. M., Detavernier, C., Desjardins, P., & Kellock, A. J. (mai 2005). Reactive diffusion in the Ni-Si system: Influence of Ni thickness on the phase formation sequence [Communication écrite]. 207th Meeting of the Electrochemical Society, Québec, Canada. https://doi.org/10.1149/ma2005-01/14/685 |
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