Reactive diffusion in the Ni-Si system: Influence of Ni thickness on the phase formation sequence

Cédrik Coia, C. Lavoie, F. M. D'Heurle, Christophe Detavernier, Patrick Desjardins et A. J. Kellock

Communication écrite (2005)

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Renseignements supplémentaires:	1091-8213
Département:	Département de génie physique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/24264/
Nom de la conférence:	207th Meeting of the Electrochemical Society
Lieu de la conférence:	Québec, Canada
Date(s) de la conférence:	2005-05-15 - 2005-05-20
Maison d'édition:	Electrochemical Society
DOI:	10.1149/ma2005-01/14/685
URL officielle:	https://doi.org/10.1149/ma2005-01/14/685
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:18
Dernière modification:	08 avr. 2025 02:12

Citer en APA 7:	Coia, C., Lavoie, C., D'Heurle, F. M., Detavernier, C., Desjardins, P., & Kellock, A. J. (mai 2005). Reactive diffusion in the Ni-Si system: Influence of Ni thickness on the phase formation sequence [Communication écrite]. 207th Meeting of the Electrochemical Society, Québec, Canada. https://doi.org/10.1149/ma2005-01/14/685
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