K. A. Bratland, T. Spila, D. G. Cahill, J. E. Greene et Patrick Desjardins
Article de revue (2011)
Un lien externe est disponible pour ce document
| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| Centre de recherche: | RQMP - Regroupement québécois sur les matériaux de pointe |
| Organismes subventionnaires: | U.S. Department of Energy (DOE) |
| Numéro de subvention: | DEFG02-07ER46453, DEFG02-07ER46471 |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/17153/ |
| Titre de la revue: | Journal of Applied Physics (vol. 109, no 6) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics |
| DOI: | 10.1063/1.3556745 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.3556745 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:11 |
| Dernière modification: | 25 avr. 2025 16:47 |
| Citer en APA 7: | Bratland, K. A., Spila, T., Cahill, D. G., Greene, J. E., & Desjardins, P. (2011). Continuum model of surface roughening and epitaxial breakdown during low-temperature Ge(001) molecular beam epitaxy. Journal of Applied Physics, 109(6), 5 pages. https://doi.org/10.1063/1.3556745 |
|---|---|
Statistiques
Dimensions
Actions réservées au personnel
|
Afficher document |
