Mostafa Darvishi, Yves Audet
, Yves Blaquière, Claude Thibeault, Simon Pichette, Fatima Zahra Tazi
Article de revue (2014)
Accéder à ce document
Lien externe
Ce document n'est pas archivé dans PolyPublie, mais peut être consulté chez l'éditeur officiel
Département:
Unité de recherche:
Adresse URL de PolyPublie:
Titre de la revue
:
IEEE Transactions on Nuclear Science
(
vol.
61
,
no
6
)
Maison d'édition:
Institute of Electrical and Electronics Engineers
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:12513
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:08
Dernière modification:
14 oct. 2026 11:12
Citer en APA 7:
Darvishi, M., Audet, Y., Blaquière, Y., Thibeault, C., Pichette, S., & Tazi, F. Z. (2014). Circuit level modeling of extra combinational delays in SRAM-based FPGAs due to transient ionizing radiation. IEEE Transactions on Nuclear Science, 61(6), 3535-3542. https://doi.org/10.1109/tns.2014.2369424
Statistiques
Dimensions
