Mostafa Darvishi, Yves Audet
, Yves Blaquiere, Claude Thibeault, Simon Pichette et Fatima Zahra Tazi
Article de revue (2014)
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| Département: | Département de génie électrique |
|---|---|
| Centre de recherche: | GR2M - Groupe de recherche en microélectronique et microsystèmes |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/12513/ |
| Titre de la revue: | IEEE Transactions on Nuclear Science (vol. 61, no 6) |
| Maison d'édition: | Institute of Electrical and Electronics Engineers |
| DOI: | 10.1109/tns.2014.2369424 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1109/tns.2014.2369424 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:08 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 15:49 |
| Citer en APA 7: | Darvishi, M., Audet, Y., Blaquiere, Y., Thibeault, C., Pichette, S., & Tazi, F. Z. (2014). Circuit level modeling of extra combinational delays in SRAM-based FPGAs due to transient ionizing radiation. IEEE Transactions on Nuclear Science, 61(6), 3535-3542. https://doi.org/10.1109/tns.2014.2369424 |
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