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Rossi, M., van Schijndel, T. A. J., Lueb, P., Badawy, G., Jung, J., Peeters, W. H. J., Kölling, S., Moutanabbir, O., Verheijen, M. A., & Bakkers, E. P. A. M. (2024). Stemless InSb nanowire networks and nanoflakes grown on InP. Nanotechnology, 35(41), 415602 (11 pages). Disponible
Badawy, G., Zhang, B., Rauch, T., Momand, J., Koelling, S., Jung, J., Gazibegovic, S., Moutanabbir, O., Kooi, B. J., Botti, S., Verheijen, M. A., Frolov, S. M., & Bakkers, E. P. A. M. (2022). Electronic Structure and Epitaxy of CdTe Shells on InSb Nanowires. Advanced Science, 9(12), 2105722 (8 pages). Lien externe
Schellingerhout, S. G., de Jong, E. J., Gomanko, M., Guan, X., Jiang, Y., Hoskam, M. S. M., Jung, J., Koelling, S., Moutanabbir, O., Verheijen, M. A., Frolov, S. M., & Bakkers, E. P. A. M. (2022). Growth of PbTe nanowires by molecular beam epitaxy. Materials for Quantum Technology, 2(1), 015001. Lien externe
Bergamaschini, R., Plantenga, R. C., Albani, M., Scalise, E., Ren, Y., Hauge, H. I. T., Kölling, S., Montalenti, F., Bakkers, E. P. A. M., Verheijen, M. A., & Miglio, L. (2021). Prismatic Ge-rich inclusions in the hexagonal SiGe shell of GaP-Si-SiGe nanowires by controlled faceting. Nanoscale, 13(20), 9436-9445. Lien externe
Fadaly, E. M. T., Dijkstra, A., Suckert, J. R., Ziss, D., van Tilburg, M. A. J., Mao, C., Ren, Y., van Lange, V. T., Korzun, K., Kölling, S., Verheijen, M. A., Busse, D., Rödl, C., Furthmüller, J., Bechstedt, F., Stangl, J., Finley, J. J., Botti, S., Haverkort, J. E. M., & Bakkers, E. P. A. M. (2020). Direct-bandgap emission from hexagonal Ge and SiGe alloys. Nature, 580(7802), 205-209. Lien externe
Assali, S., Bergamaschini, R., Scalise, E., Verheijen, M. A., Albani, M., Dijkstra, A., Li, A., Koelling, S., Bakkers, E. P. A. M., Montalenti, F., & Miglio, L. (2020). Kinetic Control of Morphology and Composition in Ge/GeSn Core/Shell Nanowires. ACS Nano, 14(2), 2445-2455. Lien externe
Kölling, S., Plantenga, R. C., Hauge, H. I. T., Ren, Y., Li, A., Verheijen, M. A., Conesa Boj, S., Assali, S., Koenraad, P. M., & Bakkers, E. P. A. M. (octobre 2016). Impurity and defect monitoring in hexagonal Si and SiGe nanocrystals [Communication écrite]. Symposium on SiGe, Ge, and Related Materials: Materials, Processing, and Devices 7 (PRiME 2016)/230th ECS Meeting, Honolulu, HI. Publié dans ECS Transactions, 75(8). Lien externe
