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Documents dont l'auteur est "Orlandi, Marcelo Ornaghi"

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B

Barbosa, M., Oliveira, F. M. B., Meng, X., Soavi, F., Santato, C., & Orlandi, M. O. (2018). Tungsten oxide ion gel-gated transistors: how structural and electrochemical properties affect the doping mechanism. Journal of Materials Chemistry C, 6(8), 1980-1987. Lien externe

D

De Oliveira Silva, G. V., Subramanian, A., Meng, X., Zhang, S., Barbosa, M. S., Baloukas, B., Chartrand, D., Pérez, J. C. G., Orlandi, M. O., Soavi, F., Cicoira, F., & Santato, C. (2019). Tungsten Oxide Ion-Gated Phototransistors using Ionic Liquid and Aqueous Gating Media. Journal of Physics D: Applied Physics, 52(30), 10 pages. Lien externe

M

Meng, X., Valitova, I., Santato, C., & Cicoira, F. (2019). Tin dioxide ion-gated transistors. Dans Orlandi, M. O. (édit.), Tin Oxide Materials (p. 477-488). Lien externe

Liste produite: Fri Dec 20 04:23:26 2024 EST.