Tungsten oxide ion gel-gated transistors: how structural and electrochemical properties affect the doping mechanism

Martin Barbosa, F. M. B. Oliveira, Xiang Meng, Francesca Soavi, Clara Santato et Marcelo Ornaghi Orlandi

Article de revue (2018)

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Département:	Département de génie physique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/38928/
Titre de la revue:	Journal of Materials Chemistry C (vol. 6, no 8)
Maison d'édition:	Royal Society of Chemistry (RSC)
DOI:	10.1039/c7tc04529h
URL officielle:	https://doi.org/10.1039/c7tc04529h
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:02
Dernière modification:	05 avr. 2024 11:34

Citer en APA 7:	Barbosa, M., Oliveira, F. M. B., Meng, X., Soavi, F., Santato, C., & Orlandi, M. O. (2018). Tungsten oxide ion gel-gated transistors: how structural and electrochemical properties affect the doping mechanism. Journal of Materials Chemistry C, 6(8), 1980-1987. https://doi.org/10.1039/c7tc04529h
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