Martin Barbosa, F. M. B. Oliveira, Xiang Meng, Francesca Soavi, Clara Santato
, Marcelo Ornaghi Orlandi
Article de revue (2018)
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Titre de la revue
:
Journal of Materials Chemistry C
(
vol.
6
,
no
8
)
Maison d'édition:
Royal Society of Chemistry (RSC)
DOI:
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:38928
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:02
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:30
Citer en APA 7:
Barbosa, M., Oliveira, F. M. B., Meng, X., Soavi, F., Santato, C., & Orlandi, M. O. (2018). Tungsten oxide ion gel-gated transistors: how structural and electrochemical properties affect the doping mechanism. Journal of Materials Chemistry C, 6(8), 1980-1987. https://doi.org/10.1039/c7tc04529h
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