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Meng, X., Valitova, I., Santato, C., & Cicoira, F. (2019). Tin dioxide ion-gated transistors. Dans Orlandi, M. O. (édit.), Tin Oxide Materials (p. 477-488). Lien externe
De Oliveira Silva, G. V., Subramanian, A., Meng, X., Zhang, S., Barbosa, M. S., Baloukas, B., Chartrand, D., Pérez, J. C. G., Orlandi, M. O., Soavi, F., Cicoira, F., & Santato, C. (2019). Tungsten Oxide Ion-Gated Phototransistors using Ionic Liquid and Aqueous Gating Media. Journal of Physics D: Applied Physics, 52(30), 10 pages. Lien externe
Barbosa, M., Oliveira, F. M. B., Meng, X., Soavi, F., Santato, C., & Orlandi, M. O. (2018). Tungsten oxide ion gel-gated transistors: how structural and electrochemical properties affect the doping mechanism. Journal of Materials Chemistry C, 6(8), 1980-1987. Lien externe
