Tungsten Oxide Ion-Gated Phototransistors using Ionic Liquid and Aqueous Gating Media

Gabriel Vinicius De Oliveira Silva, Arunprabaharan Subramanian, Xiang Meng, Shiming Zhang, Martin Schwellberger Barbosa, Bill Baloukas, Daniel Chartrand, Juan Carlos González Pérez, Marcelo Ornaghi Orlandi, F. Soavi, Fabio Cicoira, Clara Santato

Article de revue (2019)

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Titre de la revue :
Journal of Physics D: Applied Physics ( vol. 52 , no 30 )
Maison d'édition:
IOP Publishing
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:43266
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:01
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:55
Citer en APA 7:
De Oliveira Silva, G. V., Subramanian, A., Meng, X., Zhang, S., Barbosa, M. S., Baloukas, B., Chartrand, D., Pérez, J. C. G., Orlandi, M. O., Soavi, F., Cicoira, F., & Santato, C. (2019). Tungsten Oxide Ion-Gated Phototransistors using Ionic Liquid and Aqueous Gating Media. Journal of Physics D: Applied Physics, 52(30), 10 pages. https://doi.org/10.1088/1361-6463/ab1dbb

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