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Documents dont l'auteur est "Nourivand, Afshin"

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Article de revue

Nourivand, A., Al-Khalili, A. J., & Savaria, Y. (2012). Postsilicon Tuning of Standby Supply Voltage in Srams to Reduce Yield Losses Due to Parametric Data-Retention Failures. IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, 20(1), 29-41. Lien externe

Nourivand, A., Al-Khalili, A. J., & Savaria, Y. (2011). Analysis of resistive open defects in drowsy SRAM cells. Journal of Electronic Testing: Theory and Applications, 27(2), 203-213. Lien externe

Communication écrite

Nourivand, A., Al-Khalili, A. J., & Savaria, Y. (août 2008). Aggressive leakage reduction of SRAMs using error checking and correcting (ECC) techniques [Communication écrite]. 51st IEEE International Midwest Symposium on Circuits and Systems (MWSCAS 2008), Knoxville, TN, United states. Lien externe

Liste produite: Sat Dec 21 05:16:29 2024 EST.