Afshin Nourivand, Asim J. Al-Khalili et Yvon Savaria
Article de revue (2011)
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| Département: | Département de génie électrique |
|---|---|
| Centre de recherche: | GR2M - Groupe de recherche en microélectronique et microsystèmes |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/16369/ |
| Titre de la revue: | Journal of Electronic Testing: Theory and Applications (vol. 27, no 2) |
| Maison d'édition: | Springer |
| DOI: | 10.1007/s10836-011-5206-y |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1007/s10836-011-5206-y |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:12 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 10:57 |
| Citer en APA 7: | Nourivand, A., Al-Khalili, A. J., & Savaria, Y. (2011). Analysis of resistive open defects in drowsy SRAM cells. Journal of Electronic Testing: Theory and Applications, 27(2), 203-213. https://doi.org/10.1007/s10836-011-5206-y |
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