Afshin Nourivand, Asim J. Al-Khalili, Yvon Savaria
Article de revue (2011)
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Titre de la revue
:
Journal of Electronic Testing: Theory and Applications
(
vol.
27
,
no
2
)
Maison d'édition:
Springer
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:16369
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:12
Dernière modification:
29 oct. 2026 10:56
Citer en APA 7:
Nourivand, A., Al-Khalili, A. J., & Savaria, Y. (2011). Analysis of resistive open defects in drowsy SRAM cells. Journal of Electronic Testing: Theory and Applications, 27(2), 203-213. https://doi.org/10.1007/s10836-011-5206-y
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