Afshin Nourivand, Asim J. Al-Khalili, Yvon Savaria
Article de revue (2012)
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Titre de la revue
:
IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems
(
vol.
20
,
no
1
)
Maison d'édition:
IEEE
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:14883
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:11
Dernière modification:
14 oct. 2026 11:16
Citer en APA 7:
Nourivand, A., Al-Khalili, A. J., & Savaria, Y. (2012). Postsilicon Tuning of Standby Supply Voltage in Srams to Reduce Yield Losses Due to Parametric Data-Retention Failures. IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, 20(1), 29-41. https://doi.org/10.1109/tvlsi.2010.2093938
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