Afshin Nourivand, Asim J. Al-Khalili et Yvon Savaria
Article de revue (2012)
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| Département: | Département de génie électrique |
|---|---|
| Centre de recherche: | GR2M - Groupe de recherche en microélectronique et microsystèmes |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/14883/ |
| Titre de la revue: | IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems (vol. 20, no 1) |
| Maison d'édition: | IEEE |
| DOI: | 10.1109/tvlsi.2010.2093938 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1109/tvlsi.2010.2093938 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:11 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 10:55 |
| Citer en APA 7: | Nourivand, A., Al-Khalili, A. J., & Savaria, Y. (2012). Postsilicon Tuning of Standby Supply Voltage in Srams to Reduce Yield Losses Due to Parametric Data-Retention Failures. IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, 20(1), 29-41. https://doi.org/10.1109/tvlsi.2010.2093938 |
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