 | Monter d'un niveau |
Réseau de collaborationCe graphique trace les liens entre tous les collaborateurs des publications de {} figurant sur cette page.
Chaque lien représente une collaboration sur la même publication. L'épaisseur du lien représente le nombre de collaborations.
Utilisez la molette de la souris ou les gestes de défilement pour zoomer à l'intérieur du graphique.
Vous pouvez cliquer sur les noeuds et les liens pour les mettre en surbrillance et déplacer les noeuds en les glissant.
Enfoncez la touche "Ctrl" ou la touche "⌘" en cliquant sur les noeuds pour ouvrir la liste des publications de cette personne.
Nakhmanson, S. M., Drabold, D. A., & Mousseau, N. (2002). Comment on "Boson peak in amorphous silicon: A numerical study" [Commentaire ou lettre]. Physical Review B, 66(8), 087201 (2 pages). Lien externe
Nakhmanson, S. M., & Mousseau, N. (2002). Crystallization study of model tetrahedral semiconductors. Journal of Physics: Condensed Matter, 14(26), 6627-6638. Lien externe
Mousseau, N., Barkema, G. T., & Nakhmanson, S. M. (2002). Recent developments in the study of continuous random networks. Philosophical Magazine B-Physics of Condensed Matter Statistical Mechanics Electronic Optical and Magnetic Properties, 82(2), 171-183. Lien externe
Nakhmanson, S. M., Mousseau, N., Barkema, G. T., Voyles, P. M., & Drabold, D. A. (2001). Models of paracrystalline silicon with a defect-free bandgap. International Journal of Modern Physics B, 15(24-25), 3253-3257. Lien externe
Nakhmanson, S. M., Voyles, P. M., Mousseau, N., Barkema, G. T., & Drabold, D. A. (2001). Realistic models of paracrystalline silicon. Physical Review B, 63(23), 235207 (6 pages). Lien externe
