S. M. Nakhmanson, D. A. Drabold et Normand Mousseau
Article de revue (2002)
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| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/41367/ |
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| Titre de la revue: | Physical Review B (vol. 66, no 8) |
| Maison d'édition: | American Physical Society |
| DOI: | 10.1103/physrevb.66.087201 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1103/physrevb.66.087201 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:20 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 11:38 |
| Citer en APA 7: | Nakhmanson, S. M., Drabold, D. A., & Mousseau, N. (2002). Comment on "Boson peak in amorphous silicon: A numerical study". Physical Review B, 66(8), 087201 (2 pages). https://doi.org/10.1103/physrevb.66.087201 |
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