Models of paracrystalline silicon with a defect-free bandgap

S. M. Nakhmanson, Normand Mousseau, G. T. Barkema, P. M. Voyles, D. A. Drabold

Article de revue (2001)

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Titre de la revue :
International Journal of Modern Physics B ( vol. 15 , no 24-25 )
Maison d'édition:
World Scientific
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:41496
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:21
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:52
Citer en APA 7:
Nakhmanson, S. M., Mousseau, N., Barkema, G. T., Voyles, P. M., & Drabold, D. A. (2001). Models of paracrystalline silicon with a defect-free bandgap. International Journal of Modern Physics B, 15(24-25), 3253-3257. https://doi.org/10.1142/s0217979201007580

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