S. M. Nakhmanson, Normand Mousseau
, G. T. Barkema, P. M. Voyles et D. A. Drabold
Article de revue (2001)
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| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/41496/ |
|---|---|
| Titre de la revue: | International Journal of Modern Physics B (vol. 15, no 24-25) |
| Maison d'édition: | World Scientific |
| DOI: | 10.1142/s0217979201007580 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1142/s0217979201007580 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:21 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 11:38 |
| Citer en APA 7: | Nakhmanson, S. M., Mousseau, N., Barkema, G. T., Voyles, P. M., & Drabold, D. A. (2001). Models of paracrystalline silicon with a defect-free bandgap. International Journal of Modern Physics B, 15(24-25), 3253-3257. https://doi.org/10.1142/s0217979201007580 |
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