S. M. Nakhmanson, P. M. Voyles, Normand Mousseau
, G. T. Barkema et D. A. Drabold
Article de revue (2001)
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| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/41366/ |
|---|---|
| Titre de la revue: | Physical Review B (vol. 63, no 23) |
| Maison d'édition: | American Physical Society |
| DOI: | 10.1103/physrevb.63.235207 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1103/physrevb.63.235207 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:21 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 11:38 |
| Citer en APA 7: | Nakhmanson, S. M., Voyles, P. M., Mousseau, N., Barkema, G. T., & Drabold, D. A. (2001). Realistic models of paracrystalline silicon. Physical Review B, 63(23), 235207 (6 pages). https://doi.org/10.1103/physrevb.63.235207 |
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