Documents dont l'auteur est "Attiaoui, Anis"
Monter d'un niveau
Aide
Ce graphique trace les liens entre tous les collaborateurs des publications de {} figurant sur cette page.
Chaque lien représente une collaboration sur la même publication. L'épaisseur du lien représente le nombre de collaborations.
Utilisez la molette de la souris ou les gestes de défilement pour zoomer à l'intérieur du graphique.
Vous pouvez cliquer sur les noeuds et les liens pour les mettre en surbrillance et déplacer les noeuds en les glissant.
Enfoncez la touche "Ctrl" ou la touche "⌘" en cliquant sur les noeuds pour ouvrir la liste des publications de cette personne.
Aide
Un nuage de mots est une représentation visuelle des mots les plus fréquemment utilisés dans un texte ou un ensemble de textes. Les mots apparaissent dans différentes tailles, la taille de chaque mot étant proportionnelle à sa fréquence d'apparition dans le texte. Plus un mot est utilisé fréquemment, plus il apparaît en grand dans le nuage de mots. Cette technique permet de visualiser rapidement les thèmes et les concepts les plus importants d'un texte.
Dans le contexte de cette page, le nuage de mots a été généré à partir des publications de l'auteur {}. Les mots présents dans ce nuage proviennent des titres, résumés et mots-clés des articles et travaux de recherche de cet auteur. En analysant ce nuage de mots, vous pouvez obtenir un aperçu des sujets et des domaines de recherche les plus récurrents et significatifs dans les travaux de cet auteur.Le nuage de mots est un outil utile pour identifier les tendances et les thèmes principaux dans un corpus de textes, facilitant ainsi la compréhension et l'analyse des contenus de manière visuelle et intuitive.
Article de revue
Daoust, P., Del Vecchio, P., Rotaru, N., Dubé-Valade, A., Assali, S., Attiaoui, A., Daligou, G. T. E. G., Koelling, S., Luo, L., Rahier, E., & Moutanabbir, O. (2025). Reduced Pressure Chemical Vapour Deposition Growth of Nuclear Spin-Free 70Ge/28Si70Ge Heterostructures on Industrial Si-Ge Substrates. Meeting abstracts/Meeting abstracts (Electrochemical Society. CD-ROM), MA2025-01(36), 1717 (1 page). Lien externe
Assali, S., Attiaoui, A., Del Vecchio, P., Rotaru, N., & Moutanabbir, O. (2024). Engineering Sn-Based Group IV Quantum Materials. Meeting abstracts (Electrochemical Society. CD-ROM), MA2024-02(32), 2323-2323. Lien externe
Attiaoui, A., Daligou, G. T. E. G., Assali, S., Skibitzki, O., Schroeder, T., & Moutanabbir, O. (2023). Polarization-tuned fano resonances in all-dielectric short-wave infrared metasurface. Advanced Materials, 35(28), 2300595 (9 pages). Lien externe
Daligou, G. T. E. G., Soref, R., Attiaoui, A., Hossain, J., Atalla, M., Del Vecchio, P., & Moutanabbir, O. (2023). Group IV mid-infrared thermophotovoltaic cells on silicon. IEEE Journal of Photovoltaics, 13(5), 728-735. Lien externe
Moutanabbir, O., Assali, S., Attiaoui, A., Daligou, G. T. E. G., Daoust, P., Del Vecchio, P., Koelling, S., Luo, L., & Rotaru, N. (2023). Nuclear Spin-Depleted, Isotopically Enriched⁷⁰Ge/²⁸ Si⁷⁰Ge Quantum Wells. Advanced Materials, 2305703 (7 pages). Lien externe
Luo, L., Assali, S., Atalla, M. R. M., Koelling, S., Attiaoui, A., Daligou, G. T. E. G., Martí, S., Arbiol, J., & Moutanabbir, O. (2022). Extended-SWIR photodetection in all-Group IV core/shell nanowires. ACS Photonics, 9(3), 914-921. Lien externe
Assali, S., Koelling, S., Abboud, Z., Nicolas, J., Attiaoui, A., & Moutanabbir, O. (2022). 500-period epitaxial Ge/Si0.18Ge0.82 multi-quantum wells on silicon. Journal of Applied Physics, 132(17), 175304 (9 pages). Lien externe
Moutanabbir, O., Del Vecchio, P., Attiaoui, A., Fettu, G., Rotaru, N., & Assali, S. (2022). (Invited) Optoelectronic Quantum Information Processing: An All-Group IV Integrated Platform. ECS Meeting Abstracts, MA2022-02(32), 1207-1207. Lien externe
Attiaoui, A., Bouthillier, É., Daligou, G. T. E. G., Kumar, A., Assali, S., & Moutanabbir, O. (2021). Extended Short-Wave Infrared Absorption in Group-IV Nanowire Arrays. Physical Review Applied, 15(1), 014034 (11 pages). Lien externe
Assali, S., Dijkstra, A., Attiaoui, A., Bouthillier, É., Haverkort, J. E. M., & Moutanabbir, O. (2021). Midinfrared Emission and Absorption in Strained and Relaxed Direct-Band-Gap Ge1-xSnx Semiconductors. Physical Review Applied, 15(2), 13 pages. Lien externe
Attiaoui, A., & Moutanabbir, O. (2014). Optical and Electronic Properties of GeSn and GeSiSn Heterostructures and Nanowires. ECS Meeting Abstracts, MA2014-02(35), 1843-1843. Lien externe
Communication écrite
Attiaoui, A., Assali, S., Luo, L., Daligou, G. T. E. G., Atalla, M., Koelling, S., & Moutanabbir, O. (juillet 2022). Group-IV GeSn nanophotonics [Communication écrite]. IEEE Photonics Society Summer Topicals Meeting Series (SUM 2022), Cabo San Lucas, Mexico (2 pages). Lien externe
Daligou, G. T. E. G., Assali, S., Attiaoui, A., Bouthillier, É., & Moutanabbir, O. (juillet 2022). Radiative carrier lifetime in GeSn mid-infrared emitters [Communication écrite]. IEEE Photonics Society Summer Topicals Meeting Series (SUM 2022), Cabo San Lucas, Mexico (2 pages). Lien externe
Atalla, M., Assali, S., Koelling, S., Daligou, G. T. E. G., Attiaoui, A., Luo, L., Lemieux-Leduc, C., Abdi, S., & Moutanabbir, O. (mai 2022). Mid-infrared silicon-integrated high-bandwidth GeSn PIN photodetectors and LEDs [Communication écrite]. Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO 2022), San José, CA, USA (2 pages). Lien externe
Assali, S., Attiaoui, A., Atalla, M., Dijkstra, A., Kumar, A., Mukherjee, S., Abdi, S., & Moutanabbir, O. (mai 2020). Epitaxial GeSn and its integration in MIR optoelectronics [Communication écrite]. Science and Innovations 2020 (CLEO), Washington, D.C.. Lien externe
Assali, S., Attiaoui, A., Abdi, S., Atalla, M., Bouthillier, É., Luo, L., Groell, L., Nicolas, J., Mukherjee, S., Koelling, S., & Moutanabbir, O. (février 2020). SWIR and MIR emission and detection using an all-group IV platform [Communication écrite]. SPIE OPTO 2020, San Francisco, CA, USA. Lien externe
Moutanabbir, O., Attiaoui, A., Bouthillier, É., Del Vecchio, P., Kumar, A., Nicolas, J., Mukherjee, S., & Assali, S. (mai 2019). Germanium-tin semiconductors : a versatile silicon-compatible platform [Communication écrite]. VII Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors, Kyoto, Japan. Lien externe
Résumé
Moutanabbir, O., Attiaoui, A., Bouthillier, É., Del Vecchio, P., Kumar, A., Nicolas, J., Mukherjee, S., & Assali, S. (mai 2019). Germanium-tin semiconductors: A versatile silicon-compatible platform [Résumé]. Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors VII (ULSIC VS TFT 7), Kyoto, Japan (1 page). Lien externe