Salim Abdi, Mahmoud Atalla, Simone Assali, Aashish Kumar, Léonor Groell, Sebastian Koelling, Oussama Moutanabbir
Article de revue (2020)
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Département:
Adresse URL de PolyPublie:
Titre de la revue
:
ECS Meeting Abstracts
(
vol.
MA2020-01
,
no
22
)
Maison d'édition:
The Electrochemical Society
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:55942
ORCID
Date du dépôt:
13 oct. 2023 15:29
Dernière modification:
08 oct. 2026 18:35
Citer en APA 7:
Abdi, S., Atalla, M., Assali, S., Kumar, A., Groell, L., Koelling, S., & Moutanabbir, O. (2020). Towards Ultra-Low Specific Contact Resistance on P-Type and N-Type Narrow Bandgap GeSn Semiconductors. ECS Meeting Abstracts, MA2020-01(22), 1322-1322. https://doi.org/10.1149/ma2020-01221322mtgabs
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