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Towards Ultra-Low Specific Contact Resistance on P-Type and N-Type Narrow Bandgap GeSn Semiconductors

Salim Abdi, Mahmoud Atalla, Simone Assali, Aashish Kumar, Léonor Groell, Sebastian Koelling et Oussama Moutanabbir

Article de revue (2020)

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Département: Département de génie physique
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/55942/
Titre de la revue: ECS Meeting Abstracts (vol. MA2020-01, no 22)
Maison d'édition: The Electrochemical Society
DOI: 10.1149/ma2020-01221322mtgabs
URL officielle: https://doi.org/10.1149/ma2020-01221322mtgabs
Date du dépôt: 13 oct. 2023 15:29
Dernière modification: 25 sept. 2024 16:47
Citer en APA 7: Abdi, S., Atalla, M., Assali, S., Kumar, A., Groell, L., Koelling, S., & Moutanabbir, O. (2020). Towards Ultra-Low Specific Contact Resistance on P-Type and N-Type Narrow Bandgap GeSn Semiconductors. ECS Meeting Abstracts, MA2020-01(22), 1322-1322. https://doi.org/10.1149/ma2020-01221322mtgabs

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