Salim Abdi, Mahmoud Atalla, Simone Assali, Aashish Kumar, Léonor Groell, Sebastian Koelling et Oussama Moutanabbir
Article de revue (2020)
Un lien externe est disponible pour ce document
| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/55942/ |
| Titre de la revue: | ECS Meeting Abstracts (vol. MA2020-01, no 22) |
| Maison d'édition: | The Electrochemical Society |
| DOI: | 10.1149/ma2020-01221322mtgabs |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1149/ma2020-01221322mtgabs |
| Date du dépôt: | 13 oct. 2023 15:29 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:47 |
| Citer en APA 7: | Abdi, S., Atalla, M., Assali, S., Kumar, A., Groell, L., Koelling, S., & Moutanabbir, O. (2020). Towards Ultra-Low Specific Contact Resistance on P-Type and N-Type Narrow Bandgap GeSn Semiconductors. ECS Meeting Abstracts, MA2020-01(22), 1322-1322. https://doi.org/10.1149/ma2020-01221322mtgabs |
|---|---|
Statistiques
Dimensions
Actions réservées au personnel
|
Afficher document |
