Xiang Meng, Francis Quenneville, Frédéric Venne, Eduardo Di Mauro, Dilek Isik, Martin Barbosa, Yves Drolet, Marta M. Natile, Dominic Rochefort, Francesca Soavi, Clara Santato
Article de revue (2015)
Accéder à ce document
Lien externe
Ce document n'est pas archivé dans PolyPublie, mais peut être consulté chez l'éditeur officiel
Matériel d'accompagnement:
Adresse URL de PolyPublie:
Titre de la revue
:
The Journal of Physical Chemistry C
(
vol.
119
,
no
40
)
Maison d'édition:
American Chemical Society (ACS)
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:55890
ORCID
Date du dépôt:
11 oct. 2023 15:49
Dernière modification:
14 oct. 2026 14:14
Citer en APA 7:
Meng, X., Quenneville, F., Venne, F., Di Mauro, E., Isik, D., Barbosa, M., Drolet, Y., Natile, M. M., Rochefort, D., Soavi, F., & Santato, C. (2015). Correction to “Electrolyte-gated WO₃ transistors: electrochemistry, structure, and device performance”. The Journal of Physical Chemistry C, 119(40), 23292-23292. https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.5b09089
Statistiques
Dimensions
