Xiang Meng, Francis Quenneville, Frédéric Venne, Eduardo Di Mauro, Dilek Işık, Martin Barbosa, Yves Drolet, Marta M. Natile, Dominic Rochefort, Francesca Soavi et Clara Santato
Article de revue (2015)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/34396/ |
| Titre de la revue: | Journal of Physical Chemistry C (vol. 119, no 37) |
| Maison d'édition: | American Chemical Society (ACS) |
| DOI: | 10.1021/acs.jpcc.5b06777 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.5b06777 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:07 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 11:26 |
| Citer en APA 7: | Meng, X., Quenneville, F., Venne, F., Di Mauro, E., Işık, D., Barbosa, M., Drolet, Y., Natile, M. M., Rochefort, D., Soavi, F., & Santato, C. (2015). Electrolyte-Gated WO₃ Transistors: Electrochemistry, Structure, and Device Performance. Journal of Physical Chemistry C, 119(37), 21732-21738. https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.5b06777 |
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