Xiang Meng, Francis Quenneville, Frédéric Venne, Eduardo Di Mauro, Dilek Isik, Martin Barbosa, Yves Drolet, Marta M. Natile, Dominic Rochefort, Francesca Soavi et Clara Santato
Article de revue (2015)
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| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/55890/ |
| Titre de la revue: | The Journal of Physical Chemistry C (vol. 119, no 40) |
| Maison d'édition: | American Chemical Society (ACS) |
| DOI: | 10.1021/acs.jpcc.5b09089 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.5b09089 |
| Date du dépôt: | 11 oct. 2023 15:49 |
| Dernière modification: | 24 mars 2026 10:58 |
| Citer en APA 7: | Meng, X., Quenneville, F., Venne, F., Di Mauro, E., Isik, D., Barbosa, M., Drolet, Y., Natile, M. M., Rochefort, D., Soavi, F., & Santato, C. (2015). Correction to “Electrolyte-gated WO₃ transistors: electrochemistry, structure, and device performance”. The Journal of Physical Chemistry C, 119(40), 23292-23292. https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.5b09089 |
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