Étienne Bouthillier, Simone Assali, Jérôme Nicolas et Oussama Moutanabbir
Article de revue (2020)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/45918/ |
| Titre de la revue: | Semiconductor Science and Technology (vol. 35, no 9) |
| Maison d'édition: | IOP Publishing |
| DOI: | 10.1088/1361-6641/ab9846 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1088/1361-6641/ab9846 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:00 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:33 |
| Citer en APA 7: | Bouthillier, É., Assali, S., Nicolas, J., & Moutanabbir, O. (2020). Decoupling the effects of composition and strain on the vibrational modes of GeSn semiconductors. Semiconductor Science and Technology, 35(9), 9 pages. https://doi.org/10.1088/1361-6641/ab9846 |
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