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Decoupling the effects of composition and strain on the vibrational modes of GeSn semiconductors

Étienne Bouthillier, Simone Assali, Jérôme Nicolas et Oussama Moutanabbir

Article de revue (2020)

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Département: Département de génie physique
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/45918/
Titre de la revue: Semiconductor Science and Technology (vol. 35, no 9)
Maison d'édition: IOP Publishing
DOI: 10.1088/1361-6641/ab9846
URL officielle: https://doi.org/10.1088/1361-6641/ab9846
Date du dépôt: 18 avr. 2023 15:00
Dernière modification: 25 sept. 2024 16:33
Citer en APA 7: Bouthillier, É., Assali, S., Nicolas, J., & Moutanabbir, O. (2020). Decoupling the effects of composition and strain on the vibrational modes of GeSn semiconductors. Semiconductor Science and Technology, 35(9), 9 pages. https://doi.org/10.1088/1361-6641/ab9846

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