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Tungsten Oxide Ion-Gated Phototransistors using Ionic Liquid and Aqueous Gating Media

Gabriel Vinicius De Oliveira Silva, Arunprabaharan Subramanian, Xiang Meng, Shiming Zhang, Martin Schwellberger Barbosa, Bill Baloukas, Daniel Chartrand, Juan Carlos González Pérez, Marcelo Ornaghi Orlandi, F. Soavi, Fabio Cicoira et Clara Santato

Article de revue (2019)

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Département: Département de génie chimique
Département de génie physique
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/43266/
Titre de la revue: Journal of Physics D: Applied Physics (vol. 52, no 30)
Maison d'édition: IOP Publishing
DOI: 10.1088/1361-6463/ab1dbb
URL officielle: https://doi.org/10.1088/1361-6463/ab1dbb
Date du dépôt: 18 avr. 2023 15:01
Dernière modification: 25 sept. 2024 16:29
Citer en APA 7: De Oliveira Silva, G. V., Subramanian, A., Meng, X., Zhang, S., Barbosa, M. S., Baloukas, B., Chartrand, D., Pérez, J. C. G., Orlandi, M. O., Soavi, F., Cicoira, F., & Santato, C. (2019). Tungsten Oxide Ion-Gated Phototransistors using Ionic Liquid and Aqueous Gating Media. Journal of Physics D: Applied Physics, 52(30), 10 pages. https://doi.org/10.1088/1361-6463/ab1dbb

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