Instantaneous S parameters measurements of MESFETs under burst bias conditions

Michel Bégin, Fadhel M. Ghannouchi, L. Selmi, B. Riccò

Communication écrite (1994)

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Renseignements supplémentaires:
Nom historique du département: Département de génie électrique et de génie informatique ;
Groupe de recherche: Laboratoire de Recherches Micro-Ondes
Département:
Département de génie électrique
Département de génie informatique et génie logiciel
Unité de recherche:
Autre
ISBN:
0780318803
Adresse URL de PolyPublie:
https://publications.polymtl.ca/43073/
Nom de la conférence:
IEEE Instrumentation and Measurement Technology Conference (IMTC 1994)
Lieu de la conférence:
Hamamatsu, Japan
Date(s) de la conférence:
1994-05-10 - 1994-05-12
Maison d'édition:
IEEE
DOI:
10.1109/imtc.1994.351974
URL officielle:
https://doi.org/10.1109/imtc.1994.351974
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:43073
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:25
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:54
Citer en APA 7:
Bégin, M., Ghannouchi, F. M., Selmi, L., & Riccò, B. (mai 1994). Instantaneous S parameters measurements of MESFETs under burst bias conditions [Communication écrite]. IEEE Instrumentation and Measurement Technology Conference (IMTC 1994), Hamamatsu, Japan. https://doi.org/10.1109/imtc.1994.351974

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