Michel Bégin, Fadhel M. Ghannouchi, L. Selmi et B. Riccò
Communication écrite (1994)
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| Renseignements supplémentaires: |
Nom historique du département: Département de génie électrique et de génie informatique ; Groupe de recherche: Laboratoire de Recherches Micro-Ondes |
|---|---|
| Département: |
Département de génie électrique Département de génie informatique et génie logiciel |
| Centre de recherche: | Autre |
| ISBN: | 0780318803 |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/43073/ |
| Nom de la conférence: | IEEE Instrumentation and Measurement Technology Conference (IMTC 1994) |
| Lieu de la conférence: | Hamamatsu, Japan |
| Date(s) de la conférence: | 1994-05-10 - 1994-05-12 |
| Maison d'édition: | IEEE |
| DOI: | 10.1109/imtc.1994.351974 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1109/imtc.1994.351974 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:25 |
| Dernière modification: | 08 avr. 2025 07:07 |
| Citer en APA 7: | Bégin, M., Ghannouchi, F. M., Selmi, L., & Riccò, B. (mai 1994). Instantaneous S parameters measurements of MESFETs under burst bias conditions [Communication écrite]. IEEE Instrumentation and Measurement Technology Conference (IMTC 1994), Hamamatsu, Japan. https://doi.org/10.1109/imtc.1994.351974 |
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