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Instantaneous S parameters measurements of MESFETs under burst bias conditions

M. Begin, Fadhel M. Ghannouchi, L. Selmi et B. Ricco

Communication écrite (1994)

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Renseignements supplémentaires: Nom historique du département: Département de génie électrique et de génie informatique ;
Groupe de recherche: Laboratoire de Recherches Micro-Ondes
Département: Département de génie électrique
Département de génie informatique et génie logiciel
Centre de recherche: Autre
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/43073/
Nom de la conférence: IEEE Instrumentation and Measurement Technology Conference (IMTC 1994)
Lieu de la conférence: Hamamatsu, Japan
Date(s) de la conférence: 1994-05-10 - 1994-05-12
Maison d'édition: IEEE
DOI: 10.1109/imtc.1994.351974
URL officielle: https://doi.org/10.1109/imtc.1994.351974
Date du dépôt: 18 avr. 2023 15:25
Dernière modification: 25 sept. 2024 16:29
Citer en APA 7: Begin, M., Ghannouchi, F. M., Selmi, L., & Ricco, B. (mai 1994). Instantaneous S parameters measurements of MESFETs under burst bias conditions [Communication écrite]. IEEE Instrumentation and Measurement Technology Conference (IMTC 1994), Hamamatsu, Japan. https://doi.org/10.1109/imtc.1994.351974

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