Mostafa Amer, Ahmad Hassan
, Ahmed Ragab, Soumaya Yacout, Yvon Savaria, Mohamad Sawan
Communication écrite (2018)
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Unité de recherche:
ISBN:
9781538648810
Adresse URL de PolyPublie:
Nom de la conférence:
IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS 2018)
Lieu de la conférence:
Florence, Italy
Date(s) de la conférence:
2018-05-27 - 2018-05-30
Maison d'édition:
IEEE
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:42451
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:02
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:53
Citer en APA 7:
Amer, M., Hassan, A., Ragab, A., Yacout, S., Savaria, Y., & Sawan, M. (mai 2018). High-Temperature Empirical Modeling for the I-V Characteristics of GaN150-Based HEMT [Communication écrite]. IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS 2018), Florence, Italy. https://doi.org/10.1109/iscas.2018.8351420
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