Mostafa Amer, Ahmad Hassan
, Ahmed Ragab, Soumaya Yacout, Yvon Savaria et Mohamad Sawan
Communication écrite (2018)
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| Département: |
Département de mathématiques et de génie industriel Département de génie électrique |
|---|---|
| Centre de recherche: | GR2M - Groupe de recherche en microélectronique et microsystèmes |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/42451/ |
| Nom de la conférence: | IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS 2018) |
| Lieu de la conférence: | Florence, Italy |
| Date(s) de la conférence: | 2018-05-27 - 2018-05-30 |
| Maison d'édition: | IEEE |
| DOI: | 10.1109/iscas.2018.8351420 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1109/iscas.2018.8351420 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:02 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:28 |
| Citer en APA 7: | Amer, M., Hassan, A., Ragab, A., Yacout, S., Savaria, Y., & Sawan, M. (mai 2018). High-Temperature Empirical Modeling for the I-V Characteristics of GaN150-Based HEMT [Communication écrite]. IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS 2018), Florence, Italy. https://doi.org/10.1109/iscas.2018.8351420 |
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