GaN Integration Technology, an Ideal Candidate for High-Temperature Applications: A Review

Ahmad Hassan, Yvon Savaria, Mohamad Sawan

Article de revue (2018)

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Département:
Département de génie électrique
Unité de recherche:
GR2M - Groupe de recherche en microélectronique et microsystèmes
Adresse URL de PolyPublie:
https://publications.polymtl.ca/41944/
Titre de la revue :
IEEE Access ( vol. 6 )
Maison d'édition:
IEEE
DOI:
10.1109/access.2018.2885285
URL officielle:
https://doi.org/10.1109/access.2018.2885285
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:41944
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:03
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:52
Citer en APA 7:
Hassan, A., Savaria, Y., & Sawan, M. (2018). GaN Integration Technology, an Ideal Candidate for High-Temperature Applications: A Review. IEEE Access, 6, 78790-78802. https://doi.org/10.1109/access.2018.2885285

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