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GaN Integration Technology, an Ideal Candidate for High-Temperature Applications: A Review

Ahmad Hassan, Yvon Savaria et Mohamad Sawan

Article de revue (2018)

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Département: Département de génie électrique
Centre de recherche: GR2M - Groupe de recherche en microélectronique et microsystèmes
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/41944/
Titre de la revue: IEEE Access (vol. 6)
Maison d'édition: IEEE
DOI: 10.1109/access.2018.2885285
URL officielle: https://doi.org/10.1109/access.2018.2885285
Date du dépôt: 18 avr. 2023 15:03
Dernière modification: 05 mai 2023 15:46
Citer en APA 7: Hassan, A., Savaria, Y., & Sawan, M. (2018). GaN Integration Technology, an Ideal Candidate for High-Temperature Applications: A Review. IEEE Access, 6, 78790-78802. https://doi.org/10.1109/access.2018.2885285

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