Ahmad Hassan, Yvon Savaria et Mohamad Sawan
Article de revue (2018)
Un lien externe est disponible pour ce documentDépartement: | Département de génie électrique |
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Centre de recherche: | GR2M - Groupe de recherche en microélectronique et microsystèmes |
URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/41944/ |
Titre de la revue: | IEEE Access (vol. 6) |
Maison d'édition: | IEEE |
DOI: | 10.1109/access.2018.2885285 |
URL officielle: | https://doi.org/10.1109/access.2018.2885285 |
Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:03 |
Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:28 |
Citer en APA 7: | Hassan, A., Savaria, Y., & Sawan, M. (2018). GaN Integration Technology, an Ideal Candidate for High-Temperature Applications: A Review. IEEE Access, 6, 78790-78802. https://doi.org/10.1109/access.2018.2885285 |
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