Mickaël Trochet, Laurent Karim Béland, Peter Brommer, Jean-François Joly, Normand Mousseau
Article de revue (2015)
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Titre de la revue
:
Physical Review B
(
vol.
91
,
no
22
)
Maison d'édition:
American Physical Society
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:41383
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:07
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:52
Citer en APA 7:
Trochet, M., Béland, L. K., Brommer, P., Joly, J.-F., & Mousseau, N. (2015). Diffusion of point defects in crystalline silicon using the kinetic activation-relaxation technique method. Physical Review B, 91(22), 224106 (12 pages). https://doi.org/10.1103/physrevb.91.224106
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