Mickaël Trochet, Laurent Karim Béland, Peter Brommer, Jean-François Joly et Normand Mousseau
Article de revue (2015)
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| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/41383/ |
|---|---|
| Titre de la revue: | Physical Review B (vol. 91, no 22) |
| Maison d'édition: | American Physical Society |
| DOI: | 10.1103/physrevb.91.224106 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1103/physrevb.91.224106 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:07 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:27 |
| Citer en APA 7: | Trochet, M., Béland, L. K., Brommer, P., Joly, J.-F., & Mousseau, N. (2015). Diffusion of point defects in crystalline silicon using the kinetic activation-relaxation technique method. Physical Review B, 91(22), 224106 (12 pages). https://doi.org/10.1103/physrevb.91.224106 |
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