Martin Barbosa, F. M. B. Oliveira, Xiang Meng, Francesca Soavi, Clara Santato
et Marcelo Ornaghi Orlandi
Article de revue (2018)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/38928/ |
| Titre de la revue: | Journal of Materials Chemistry C (vol. 6, no 8) |
| Maison d'édition: | Royal Society of Chemistry (RSC) |
| DOI: | 10.1039/c7tc04529h |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1039/c7tc04529h |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:02 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:23 |
| Citer en APA 7: | Barbosa, M., Oliveira, F. M. B., Meng, X., Soavi, F., Santato, C., & Orlandi, M. O. (2018). Tungsten oxide ion gel-gated transistors: how structural and electrochemical properties affect the doping mechanism. Journal of Materials Chemistry C, 6(8), 1980-1987. https://doi.org/10.1039/c7tc04529h |
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