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Tungsten oxide ion gel-gated transistors: how structural and electrochemical properties affect the doping mechanism

Martin Barbosa, F. M. B. Oliveira, Xiang Meng, Francesca Soavi, Clara Santato et Marcelo Ornaghi Orlandi

Article de revue (2018)

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Département: Département de génie physique
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/38928/
Titre de la revue: Journal of Materials Chemistry C (vol. 6, no 8)
Maison d'édition: Royal Society of Chemistry (RSC)
DOI: 10.1039/c7tc04529h
URL officielle: https://doi.org/10.1039/c7tc04529h
Date du dépôt: 18 avr. 2023 15:02
Dernière modification: 25 sept. 2024 16:23
Citer en APA 7: Barbosa, M., Oliveira, F. M. B., Meng, X., Soavi, F., Santato, C., & Orlandi, M. O. (2018). Tungsten oxide ion gel-gated transistors: how structural and electrochemical properties affect the doping mechanism. Journal of Materials Chemistry C, 6(8), 1980-1987. https://doi.org/10.1039/c7tc04529h

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