S. Mukherjee, N. Kodali, D. Isheim, S. Wirths, J. M. Hartmann, D. Buca, D. N. Seidman et Oussama Moutanabbir
Article de revue (2017)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/37456/ |
| Titre de la revue: | Physical Review B (vol. 95, no 16) |
| Maison d'édition: | American Physical Society |
| DOI: | 10.1103/physrevb.95.161402 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1103/physrevb.95.161402 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:04 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:21 |
| Citer en APA 7: | Mukherjee, S., Kodali, N., Isheim, D., Wirths, S., Hartmann, J. M., Buca, D., Seidman, D. N., & Moutanabbir, O. (2017). Short-range atomic ordering in nonequilibrium silicon-germanium-tin semiconductors. Physical Review B, 95(16), 5 pages. https://doi.org/10.1103/physrevb.95.161402 |
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