<  Retour au portail Polytechnique Montréal

Short-range atomic ordering in nonequilibrium silicon-germanium-tin semiconductors

S. Mukherjee, N. Kodali, D. Isheim, S. Wirths, J. M. Hartmann, D. Buca, D. N. Seidman et Oussama Moutanabbir

Article de revue (2017)

Un lien externe est disponible pour ce document
Département: Département de génie physique
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/37456/
Titre de la revue: Physical Review B (vol. 95, no 16)
Maison d'édition: American Physical Society
DOI: 10.1103/physrevb.95.161402
URL officielle: https://doi.org/10.1103/physrevb.95.161402
Date du dépôt: 18 avr. 2023 15:04
Dernière modification: 25 sept. 2024 16:21
Citer en APA 7: Mukherjee, S., Kodali, N., Isheim, D., Wirths, S., Hartmann, J. M., Buca, D., Seidman, D. N., & Moutanabbir, O. (2017). Short-range atomic ordering in nonequilibrium silicon-germanium-tin semiconductors. Physical Review B, 95(16), 5 pages. https://doi.org/10.1103/physrevb.95.161402

Statistiques

Dimensions

Actions réservées au personnel

Afficher document Afficher document