Sebastian Kölling, Rianne C. Plantenga, Hakon I. T. Hauge, Yizhen Ren, Ang Li, Marcel A. Verheijen, Sonia Conesa Boj, Simone Assali, Paul M. Koenraad et Erik P. A. M. Bakkers
Communication écrite (2016)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/36140/ |
| Nom de la conférence: | Symposium on SiGe, Ge, and Related Materials: Materials, Processing, and Devices 7 (PRiME 2016)/230th ECS Meeting |
| Lieu de la conférence: | Honolulu, HI |
| Date(s) de la conférence: | 2016-10-02 - 2016-10-07 |
| Titre de la revue: | ECS Transactions (vol. 75, no 8) |
| Maison d'édition: | Electrochemical Society |
| DOI: | 10.1149/07508.0751ecst |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1149/07508.0751ecst |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:05 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 11:29 |
| Citer en APA 7: | Kölling, S., Plantenga, R. C., Hauge, H. I. T., Ren, Y., Li, A., Verheijen, M. A., Conesa Boj, S., Assali, S., Koenraad, P. M., & Bakkers, E. P. A. M. (octobre 2016). Impurity and defect monitoring in hexagonal Si and SiGe nanocrystals [Communication écrite]. Symposium on SiGe, Ge, and Related Materials: Materials, Processing, and Devices 7 (PRiME 2016)/230th ECS Meeting, Honolulu, HI. Publié dans ECS Transactions, 75(8). https://doi.org/10.1149/07508.0751ecst |
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