T. Ohtsuki, N. Peyghambarian, S. Honkanen et S. Iraj Najafi
Article de revue (1995)
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| Renseignements supplémentaires: | Nom historique du département: Département de génie électrique et de génie informatique |
|---|---|
| Département: |
Département de génie électrique Département de génie informatique et génie logiciel |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/31872/ |
| Titre de la revue: | Journal of Applied Physics (vol. 78, no 6) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics |
| DOI: | 10.1063/1.359938 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.359938 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:25 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:14 |
| Citer en APA 7: | Ohtsuki, T., Peyghambarian, N., Honkanen, S., & Najafi, S. I. (1995). Gain characteristics of a high concentration Er³⁺ doped phosphate glass waveguide. Journal of Applied Physics, 78(6), 3617-3621. https://doi.org/10.1063/1.359938 |
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