Gérald Gagnon, M. Caron, John F. Currie, S. C. Gujrathi, V. Fortin, Y. Tremblay, L. Ouellet, M. Wang, M. Biberger et F. Wong
Communication écrite (1996)
Ce document n'est pas archivé dans PolyPublieRenseignements supplémentaires: | Nom historique du département: Département de métallurgie et de génie des matériaux |
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Département: | Département de génie physique |
URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/31311/ |
Nom de la conférence: | 13th International VLSI Multilevel Interconnection (V-MIC) Conference |
Lieu de la conférence: | Santa Clara, CA, USA |
Date(s) de la conférence: | 1996-06-18 - 1996-06-20 |
Maison d'édition: | VMIC Tampa, FL, USA |
Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:24 |
Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:13 |
Citer en APA 7: | Gagnon, G., Caron, M., Currie, J. F., Gujrathi, S. C., Fortin, V., Tremblay, Y., Ouellet, L., Wang, M., Biberger, M., & Wong, F. (juin 1996). Effect of the oxidation of TiN barrier on its efficiency as a diffusion barrier in AlSiCu metallization of VLSI devices [Communication écrite]. 13th International VLSI Multilevel Interconnection (V-MIC) Conference, Santa Clara, CA, USA. |
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