Patrick Desjardins
, H. Marchand, L. Isnard et Rémo A. Masut
Article de revue (1997)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| Centre de recherche: | GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/30525/ |
| Titre de la revue: | Journal of Applied Physics (vol. 81, no 8) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics |
| DOI: | 10.1063/1.365049 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.365049 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:23 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:12 |
| Citer en APA 7: | Desjardins, P., Marchand, H., Isnard, L., & Masut, R. A. (1997). Microstructure and strain relaxation in organometallic vapor phase epitaxy of strain-compensated GaInP/InAsP multilayers on InP(001). Journal of Applied Physics, 81(8), 3501-3511. https://doi.org/10.1063/1.365049 |
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