Patrick Desjardins
, L. Isnard, H. Marchand et Rémo A. Masut
Article de revue (1998)
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| Renseignements supplémentaires: | Nom historique du département: Département de génie physique et de génie des matériaux |
|---|---|
| Département: | Département de génie physique |
| Centre de recherche: | GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/29725/ |
| Titre de la revue: | Journal of vacuum science and technology. A, Vacuum, surfaces, and films (vol. 16, no 2) |
| Maison d'édition: | American Vacuum Society |
| DOI: | 10.1116/1.581058 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1116/1.581058 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:23 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:11 |
| Citer en APA 7: | Desjardins, P., Isnard, L., Marchand, H., & Masut, R. A. (1998). Competing strain relaxation mechanisms in organometallic vapor phase epitaxy of strain-compensated GaInP/InAsP multilayers on InP(001). Journal of vacuum science and technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 16(2), 776-780. https://doi.org/10.1116/1.581058 |
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