The determination of phases formed in AlSiCu/TiN/Ti contact metallization structure of integrated circuits by x-ray diffraction

V. Fortin, G. Gagnon, M. Caron, S. C. Gujrathi, John F. Currie, L. Ouellet, Yves Tremblay, M. Biberger

Article de revue (1998)

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Renseignements supplémentaires:
Nom historique du département: Département de génie physique et de génie des matériaux
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Titre de la revue :
Journal of Applied Physics ( vol. 83 , no 1 )
Maison d'édition:
American Institute of Physics
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:29689
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:23
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:07
Citer en APA 7:
Fortin, V., Gagnon, G., Caron, M., Gujrathi, S. C., Currie, J. F., Ouellet, L., Tremblay, Y., & Biberger, M. (1998). The determination of phases formed in AlSiCu/TiN/Ti contact metallization structure of integrated circuits by x-ray diffraction. Journal of Applied Physics, 83(1), 132-138. https://doi.org/10.1063/1.366710

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