Pathways for hydrogen desorption from Si₁₋ₓGeₓ(001) during gas-source molecular-beam epitaxy and ultrahigh-vacuum chemical vapor deposition

H. Kim, Patrick Desjardins, J. R. Abelson, J. E. Greene

Article de revue (1998)

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Titre de la revue :
Physical review. B, Condensed matter ( vol. 58 , no 8 )
Maison d'édition:
American Physical Society
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:29571
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:23
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:07
Citer en APA 7:
Kim, H., Desjardins, P., Abelson, J. R., & Greene, J. E. (1998). Pathways for hydrogen desorption from Si₁₋ₓGeₓ(001) during gas-source molecular-beam epitaxy and ultrahigh-vacuum chemical vapor deposition. Physical review. B, Condensed matter, 58(8), 4803-4808. https://doi.org/10.1103/physrevb.58.4803

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