Pathways for hydrogen desorption from Si₁₋ₓGeₓ(001) during gas-source molecular-beam epitaxy and ultrahigh-vacuum chemical vapor deposition

H. Kim, Patrick Desjardins, J. R. Abelson et J. E. Greene

Article de revue (1998)

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Département:	Département de génie physique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/29571/
Titre de la revue:	Physical review. B, Condensed matter (vol. 58, no 8)
Maison d'édition:	American Physical Society
DOI:	10.1103/physrevb.58.4803
URL officielle:	https://doi.org/10.1103/physrevb.58.4803
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:23
Dernière modification:	25 sept. 2024 16:11

Citer en APA 7:	Kim, H., Desjardins, P., Abelson, J. R., & Greene, J. E. (1998). Pathways for hydrogen desorption from Si₁₋ₓGeₓ(001) during gas-source molecular-beam epitaxy and ultrahigh-vacuum chemical vapor deposition. Physical review. B, Condensed matter, 58(8), 4803-4808. https://doi.org/10.1103/physrevb.58.4803
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