V. Fortin, S. C. Gujrathi, G. Gagnon, Raymond Gauvin, John F. Currie, L. Ouellet, Yves Tremblay
Article de revue (1999)
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Renseignements supplémentaires:
Nom historique du département: Département de génie électrique et de génie informatique
Département:
Adresse URL de PolyPublie:
Titre de la revue
:
Journal of vacuum science & technology. B. Microelectronics and nanometer structures processing, measurement and phenomena
(
vol.
17
,
no
2
)
Maison d'édition:
American Vacuum Society
DOI:
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:28951
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:22
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:06
Citer en APA 7:
Fortin, V., Gujrathi, S. C., Gagnon, G., Gauvin, R., Currie, J. F., Ouellet, L., & Tremblay, Y. (1999). Effect of in Situ Plasma Oxidation of Tin Diffusion Barrier for Alsicu/Tin/Ti Metallization Structure of Integrated Circuits. Journal of vacuum science & technology. B. Microelectronics and nanometer structures processing, measurement and phenomena, 17(2), 423-431. https://doi.org/10.1116/1.590661
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