V. Fortin, S. C. Gujrathi, G. Gagnon, Raymond Gauvin, John F. Currie, L. Ouellet et Y. Tremblay
Article de revue (1999)
Un lien externe est disponible pour ce document
| Renseignements supplémentaires: | Nom historique du département: Département de génie électrique et de génie informatique |
|---|---|
| Département: |
Département de génie mécanique Département de génie électrique Département de génie informatique et génie logiciel |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/28951/ |
| Titre de la revue: | Journal of vacuum science & technology. B. Microelectronics and nanometer structures processing, measurement and phenomena (vol. 17, no 2) |
| Maison d'édition: | American Vacuum Society |
| DOI: | 10.1116/1.590661 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1116/1.590661 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:22 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:10 |
| Citer en APA 7: | Fortin, V., Gujrathi, S. C., Gagnon, G., Gauvin, R., Currie, J. F., Ouellet, L., & Tremblay, Y. (1999). Effect of in Situ Plasma Oxidation of Tin Diffusion Barrier for Alsicu/Tin/Ti Metallization Structure of Integrated Circuits. Journal of vacuum science & technology. B. Microelectronics and nanometer structures processing, measurement and phenomena, 17(2), 423-431. https://doi.org/10.1116/1.590661 |
|---|---|
Statistiques
Dimensions
Actions réservées au personnel
|
Afficher document |
