N. Taylor, H. Kim, Patrick Desjardins
, Y. L. Foo, J. E. Greene
Article de revue (2000)
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Renseignements supplémentaires:
Nom historique du département: Département de génie physique et de génie des matériaux
Département:
Adresse URL de PolyPublie:
Titre de la revue
:
Applied Physics Letters
(
vol.
76
,
no
20
)
Maison d'édition:
American Institute of Physics
DOI:
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:27815
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:22
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:04
Citer en APA 7:
Taylor, N., Kim, H., Desjardins, P., Foo, Y. L., & Greene, J. E. (2000). Si(001)16x2 gas-source molecular-beam epitaxy: growth kinetics. Applied Physics Letters, 76(20), 2853-2855. https://doi.org/10.1063/1.126495
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