N. Taylor, H. Kim, Patrick Desjardins
, Y. L. Foo et J. E. Greene
Article de revue (2000)
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| Renseignements supplémentaires: | Nom historique du département: Département de génie physique et de génie des matériaux |
|---|---|
| Département: | Département de génie physique |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/27815/ |
| Titre de la revue: | Applied Physics Letters (vol. 76, no 20) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics |
| DOI: | 10.1063/1.126495 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.126495 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:22 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:08 |
| Citer en APA 7: | Taylor, N., Kim, H., Desjardins, P., Foo, Y. L., & Greene, J. E. (2000). Si(001)16x2 gas-source molecular-beam epitaxy: growth kinetics. Applied Physics Letters, 76(20), 2853-2855. https://doi.org/10.1063/1.126495 |
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