Method and apparatus for iteratively, selectively tuning the impedance of integrated semiconductor devices using a focussed heating source

Yves Gagnon, Michel Meunier et Yvon Savaria

Brevet (2001)

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Renseignements supplémentaires:	Autres numéros: CA2277607, CA2671386, EP1188178, WO2000077836 (demande)
Département:	Département de génie physique Département de génie électrique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/27397/
URL officielle:	https://patents.google.com/patent/US6329272
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:21
Dernière modification:	25 sept. 2024 16:08

Citer en APA 7:	Gagnon, Y., Meunier, M., & Savaria, Y. (2001). Method and apparatus for iteratively, selectively tuning the impedance of integrated semiconductor devices using a focussed heating source. (Brevet no US6329272). https://patents.google.com/patent/US6329272
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